Bauteile und Bauelemente (50 Artikel)

Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...

Brückengleichrichter GBU802 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung -/~/~/+.

Flexibler Kabelschlauch mit Montagehilfe, 2,5 m, grau Mit diesem flexiblen Kabelschlauch gehört Kabelsalat der Vergangenheit an, egal ob an Ihrem Arbeitsplatz oder zu Hause. Max. Kabelbündel-Ø 25 m...

Folienkondensator EPCOS B32520, 1,5 nF 0,0015 µF, 10 %, 400 V-/200 V~, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x3x8 0,0015 µF, 10 %, 400 V-/200 V~, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x3x8 mm.

Gleichrichter GBPC3504W, 400V/35A GBPC3504 - 400 V/35 GBPC3504 - 400 V/35 A

Gleichrichter GBPC3506W, 600V/35A GBPC3506W - 600 V/35 GBPC3506W - 600 V/35 A

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5001, 50 A, 100 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5001 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU405, 4 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU405 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 4 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

Kabelschlauch, 1,5 m, grau Mit diesem flexiblen und hochwertigen Kabelschlauch gehören lose und unsortierte Kabel der Vergangenheit an. Ob an Ihrem Arbeitsplatz oder zu Hause, der 1,5 m lange Schla...

NEOZED Passeinsatz SIEMENS 5SH5010 NEOZED Passeinsatz D01, 10 NEOZED Passeinsatz D01, 10 A.

NEOZED Passeinsatz SIEMENS 5SH5020 NEOZED Passeinsatz D02, 20 NEOZED Passeinsatz D02, 20 A.

NEOZED Passeinsatz SIEMENS 5SH5035 NEOZED Passeinsatz D02, 35 NEOZED Passeinsatz D02, 35 A.

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2302, D01, 2 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstro...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2304, D01, 4 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstro...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2306, D01, 6 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstro...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2310, D01, 10 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstr...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2316, D01, 16 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstr...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2320, D02, 20 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstr...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2332, D02, 32 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstr...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2340, D02, 40 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstr...

NEOZED-Sicherung SIEMENS 5SE2350, D02, 50 A, gL/gG Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Schmelz-Sicherungseinsatz für die Hausverteilung. Technische Daten: Nennspannung: 400 V~ Nennstr...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TSM3401CX TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel Technische Daten: Hersteller: Taiwan Semiconductor Produktkategorie: MOSFET Montageart: SMD...