Bauteile und Bauelemente (101 Artikel)

10er Pack Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter...

2er Pack Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710PBF Uds 100 V, Id25 57 A, Rds(on) 0,023 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 45 ns, TO-220. Uds 100 V, Id25 57 A, Rds(on) 0,023 ?, Ugs(th) ...

4er Pack Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRL520NPBF Uds 100 V, Id25 10 A, Rds(on) 0,180 ?, Ugs(th) 1 V, td(on) 4 ns, td(off) 23 ns, TO-220. Uds 100 V, Id25 10 A, Rds(on) 0,180 ?, Ugs(th) 1...

Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...

Brückengleichrichter GBU802 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung -/~/~/+.

Elko PANASONIC EEUFR1J101, 100 ?F, 63 V 100 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x12,5 100 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x12,5 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J121, 120 ?F, 63 V 120 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x16 120 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x16 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J151, 150 ?F, 63 V 150 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x16 150 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x16 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J221L, 220 ?F, 63 V 220 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x25 220 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 10x25 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J331, 330 ?F, 63 V 330 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 12,5x20 330 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 12,5x20 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J470, 47 ?F, 63 V 47 ?F/63 V, radial, RM 2,5 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 6,3x11,2 47 ?F/63 V, radial, RM 2,5 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 6,3x11,2 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J471, 470 ?F, 63 V 470 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 12,5x25 470 ?F/63 V, radial, RM 5,0 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 12,5x25 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J561S, 560 ?F, 63 V 560 ?F/63 V, radial, RM 7,5 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 16x20 560 ?F/63 V, radial, RM 7,5 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 16x20 mm

Elko PANASONIC EEUFR1J821, 820 ?F, 63 V 820 ?F/63 V, radial, RM 7,5 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 16x35 820 ?F/63 V, radial, RM 7,5 mm, low ESR, 105 °C, Maße (ØxL): 16x35 mm

Endschalter, Panasonic, MAP5R32Z11, Winkeleinwegrolle Endschalter für Standard- und Sicherheitsanwendungen mit Rastfunktion (Reset) und manueller Rückstellung. Verschiedene Betätigervarianten. Kuns...

Folienkondensator PANASONIC ECQB, 2,2 nF 0,0022 µF, 10 %, 50 V-, RM 5 0,0022 µF, 10 %, 50 V-, RM 5 mm.

Folienkondensator PANASONIC ECQB, 27 nF 0,027 µF, 5 %, 100 V-, RM 0,027 µF, 5 %, 100 V-, RM 5.

Folienkondensator PANASONIC ECQF6332JZH, 3,3 nF, 630 V-, 5 % 0,0033 µF, 630 V-, 5 %, RM 10 mm, Maße (LxBxH): 11,5x5x14 0,0033 µF, 630 V-, 5 %, RM 10 mm, Maße (LxBxH): 11,5x5x14 mm.

Gleichrichter GBPC2506W, 600V/25A GBPC2506W - 600 V/25 GBPC2506W - 600 V/25 A

Gleichrichter GBPC3504W, 400V/35A GBPC3504 - 400 V/35 GBPC3504 - 400 V/35 A

Gleichrichter GBPC3506W, 600V/35A GBPC3506W - 600 V/35 GBPC3506W - 600 V/35 A

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5001, 50 A, 100 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5001 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBP154G, 1,5 A, 400 V Einphasen Flachbrücken-Gleichrichter KBP154G, 1,5 A, 400 V mit Lötanschluß. Technische Daten: Typ: Single Phase Glass Passivated Bridge Rect...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

Keramikkondensator PANASONIC ECKW3D122JBR, 1200 pF, 2 kV 1,2 nF, ± 5 %, 2000 V-, RM 10 1,2 nF, ± 5 %, 2000 V-, RM 10 mm.

Kondensator PANASONIC ECQB, 0,033 µF, 10 Stück 0,033 µF, 5 %, 50 V-, RM 5 mm. 10 0,033 µF, 5 %, 50 V-, RM 5 mm. 10 Stück.

Kondensator PANASONIC ECQE, 330 nF 0,33 µF, 10 %, 250 V-, RM 10, Maße (LxBxH): 11,5x5x11 0,33 µF, 10 %, 250 V-, RM 10, Maße (LxBxH): 11,5x5x11 mm.

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010NPBF Uds 55 V, Id25 85 A, Rds(on) 0,011 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 39 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 85 A, Rds(on) 0,011 ?, Ugs(th) 2 V, td(on...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404PBF Uds 40 V, Id25 202 A, Rds(on) 0,004 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 46 ns, TO-220. Uds 40 V, Id25 202 A, Rds(on) 0,004 ?, Ugs(th) 2 V, td(o...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404ZPBF Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0037 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 18 ns, td(off) 36 ns, TO-220. Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0037 ?, Ugs(th) 2 V, t...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF2807PBF Uds 75 V, Id25 82 A, Rds(on) 0,013 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 49 ns, TO-220. Uds 75 V, Id25 82 A, Rds(on) 0,013 ?, Ugs(th) 2 V, td(on)...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205PBF Uds 55 V, Id25 110 A, Rds(on) 0,008 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 50 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 110 A, Rds(on) 0,008 ?, Ugs(th) 2 V, td(o...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3710ZPBF Uds 100 V, Id25 59 A, Rds(on) 0,018 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 41 ns, TO-220. Uds 100 V, Id25 59 A, Rds(on) 0,018 ?, Ugs(th) 2 V, td(...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF Uds 200 V, Id25 18 A, Rds(on) 0,150 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 10 ns, td(off) 23 ns, TO-220. Uds 200 V, Id25 18 A, Rds(on) 0,150 ?, Ugs(th) 2 V, td(o...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9Z34NPBF Uds 55 V, Id25 19 A, Rds(on) 0,100 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 30 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 19 A, Rds(on) 0,100 ?, Ugs(th) 2 V, td(on...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB3607PBF Uds 75 V, Id25 80 A, Rds(on) 0,009 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 16 ns, td(off) 43 ns, TO-220. Uds 75 V, Id25 80 A, Rds(on) 0,009 ?, Ugs(th) 2 V, td(on...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4110PBF Uds 100 V, Id25 180 A, Rds(on) 0,0045 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 78 ns, TO-220. Uds 100 V, Id25 180 A, Rds(on) 0,0045 ?, Ugs(th) 2 V,...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7437PBF Uds 40 V, Id25 195 A, Rds(on) 0,002 ?, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 19 ns, td(off) 78 ns, TO-220. Uds 40 V, Id25 195 A, Rds(on) 0,002 ?, Ugs(th) 2,2 V,...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7440PBF Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0025 ?, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 24 ns, td(off) 115 ns, TO-220. Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0025 ?, Ugs(th) 2,2...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP150NPBF Uds 100 V, Id25 42 A, Rds(on) 0,036 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 11 ns, td(off) 45 ns, TO-247. Uds 100 V, Id25 42 A, Rds(on) 0,036 ?, Ugs(th) 2 V, td(...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP250NPBF Uds 200 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,075 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 41 ns, TO-247. Uds 200 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,075 ?, Ugs(th) 2 V, td(...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP260NPBF Uds 200 V, Id25 50 A, Rds(on) 0,040 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 55 ns, TO-247. Uds 200 V, Id25 50 A, Rds(on) 0,040 ?, Ugs(th) 2 V, td(...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP4110PBF Uds 100 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0045 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 78 ns, TO-247. Uds 100 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0045 ?, Ugs(th) 2 V,...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ24NPBF Uds 55 V, Id25 17 A, Rds(on) 0,07 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 4,9 ns, td(off) 19 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 17 A, Rds(on) 0,07 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) ...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44NPBF Uds 55 V, Id25 49 A, Rds(on) 0,0175 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 44 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 49 A, Rds(on) 0,0175 ?, Ugs(th) 2 V, td(o...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44ZPBF Uds 55 V, Id25 51 A, Rds(on) 0,0139 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 33 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 51 A, Rds(on) 0,0139 ?, Ugs(th) 2 V, td(o...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ48NPBF Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 ?, Ugs(th) 2 V, td(on)...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRL540NPBF Uds 100 V, Id25 36 A, Rds(on) 0,044 ?, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 39 ns, TO-220. Uds 100 V, Id25 36 A, Rds(on) 0,044 ?, Ugs(th) 1 V, td(o...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLB8748PBF Uds 30 V, Id25 78 A, Rds(on) 0,0048 ?, Ugs(th) 1,35 V, td(on) 14 ns, td(off) 16 ns, TO-220. Uds 30 V, Id25 78 A, Rds(on) 0,0048 ?, Ugs(th) 1,35 ...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ24NPBF Uds 55 V, Id25 18 A, Rds(on) 0,060 ?, Ugs(th) 1 V, td(on) 7,1 ns, td(off) 20 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 18 A, Rds(on) 0,060 ?, Ugs(th) 1 V, td(on...

Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NPBF Uds 55 V, Id25 47 A, Rds(on) 0,022 ?, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 26 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 47 A, Rds(on) 0,022 ?, Ugs(th) 1 V, td(on)...

Leistungs-MOSFET IRF2804PBF N-Channel, 40 V, 75 A, 300 W, 0,002 ?, N-Channel, 40 V, 75 A, 300 W, 0,002 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRF520NPBF Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 9,7 A, 48 W, 0,20 ?, Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 9,7 A, 48 W, 0,20 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRF5305PBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRF530NPBF Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 ?, Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRF540NBBF Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 ?, Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRF8736PBF Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N-Channel, 30 V, 18 A, 2,5 W, 0,0048 ?, Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N-Channel, 30 V, 18 A, 2,5 W, 0,0048 ?, SO8.

Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRF9540NPBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 ?, TO-220AB.

Leistungs-MOSFET IRFD024PBF Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 ?, Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 ?, DIP4.

Leistungs-MOSFET IRFD9024PBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 60 V, 1,6 A, 1,3 W, 0,28 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 60 V, 1,6 A, 1,3 W, 0,28 ?, DIP4.

Leistungs-MOSFET IRFR024NPBF Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 17 A, 45 W, 0,075 ?, Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 17 A, 45 W, 0,075 ?, TO-252AA.

Leistungs-MOSFET IRFR1205PBF Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 44 A, 107 W, 0,027 ?, Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 44 A, 107 W, 0,027 ?, TO-252AA.

Microcontroller ATMEL ATmega1284P-PU 8-bit - 20 MHz - 128 k Flash - 32 I/O - ISP - 8-bit - 20 MHz - 128 k Flash - 32 I/O - ISP - DIP-40

Microcontroller ATMEL ATmega168PA-PU 8-bit - 20 MHz - 16 k Flash - 23 I/O - ISP - 8-bit - 20 MHz - 16 k Flash - 23 I/O - ISP - DIP-28

Microcontroller ATMEL ATmega32-16AU 8-bit - 16 MHz - 32 k Flash - 32 I/O - JTAG - ISP - 8-bit - 16 MHz - 32 k Flash - 32 I/O - JTAG - ISP - TQFP44

Microcontroller ATMEL ATmega48-20PU 8-bit - 20 MHz - 4 k Flash - 23 I/O - ISP - 8-bit - 20 MHz - 4 k Flash - 23 I/O - ISP - DIL-28

Microcontroller ATMEL ATmega8-16PU 8-bit - 16 MHz - 8 k Flash - 23 I/O - ISP - 8-bit - 16 MHz - 8 k Flash - 23 I/O - ISP - DIP-28

Microcontroller ATMEL ATtiny13-20PU 8-bit - 20 MHz - 1 k Flash - 6 I/O - ISP - 8-bit - 20 MHz - 1 k Flash - 6 I/O - ISP - DIP-8

Microcontroller ATMEL ATtiny13A-PU 8-bit - 20 MHz - 1 k Flash - 8-bit - 20 MHz - 1 k Flash - 8P3

Microcontroller ATMEL ATtiny2313A-PU 8-bit - 20 MHz - 2 k Flash - 18 I/O - ISP - 8-bit - 20 MHz - 2 k Flash - 18 I/O - ISP - DIP-20

Microcontroller ATMEL ATtiny2313A-SU 8-bit - 20 MHz - 2 k Flash - 18 I/O - ISP - 8-bit - 20 MHz - 2 k Flash - 18 I/O - ISP - SO-20

PANASONIC Elektrolytkondensator ECA1JM471B, 470 µF, 63 V Elektrolytkondensator der M-A-Serie mit hoher Zuverlässigkeit, großem Temperaturbereich und kleinen Abmessungen. Technische Daten: Kapazität...

SMD-Potentiometer PANASONIC EVM2XSX50B52 500 ? - liegend - 2,81x2,2x1,8 mm - 10 500 ? - liegend - 2,81x2,2x1,8 mm - 10 Stück

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...