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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH (1 Angebot) TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P... |
Taiwan Semiconductor 140995 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH (1 Angebot) TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P... |
Taiwan Semiconductor 140996 |
ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH (1 Angebot) TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P... |
Taiwan Semiconductor 140997 |
ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH (1 Angebot) TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P... |
Taiwan Semiconductor 140998 |
ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH (1 Angebot) TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P... |
Taiwan Semiconductor 140999 |
ab € 0,54*
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TSM3401CX (1 Angebot) TSM3401CX TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel Technische Daten: Hersteller: Taiwan Semiconductor Produktkategorie: MOSFET Montageart: SMD... |
Taiwan Semiconductor TSM3401CX |
ab € 1,18*
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