Bauteile und Bauelemente (48 Artikel)

Kunststoffgehäuse, STRAPUBOX, Typ 2044 GR, 50 x 39 x 14 mm Technische Daten: - Material: ABS- Farbe: grau- Abmessungen: 50x39x14 mm- Oberfläche: erodiert- Zusammenbau: 2 Gehäuseschrauben Technische...

Kunststoffgehäuse, STRAPUBOX, Typ 2099 GR, 90 x 40 x 24 mm Technische Daten: - Material: ABS- Farbe: grau- Abmessungen: 90x40x24 mm- Oberfläche: erodiert- Zusammenbau: 2 Gehäuseschrauben- Besonderh...

Kunststoffgehäuse, STRAPUBOX, Typ 2099 SW, 90 x 40 x 24 mm Technische Daten: - Material: ABS- Farbe: schwarz- Abmessungen: 90x40x24 mm- Oberfläche: erodiert- Zusammenbau: 2 Gehäuseschrauben- Besond...

Kunststoffgehäuse, STRAPUBOX, Typ 2515 SW, 124 x 71 x 30 mm Technische Daten: - Material: ABS- Farbe: schwarz- Abmessungen: 124x71x30 mm- Oberfläche: erodiert- Zusammenbau: keine Verschraubung = Sc...

LCD-Modul VARITRONIX VLGEM1182-02 LC-Display aus dem Automotive-Bereich mit alphanumerischen Zeichen, seitlichen Bargraph-Anzeigen und diversen Symbolen. Anschluss über 36-poligen Folienleiter (RM ...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...