Bauteile und Bauelemente (48 Artikel)

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 100X 160X1.5 35/00, 100 x 160, einseitig35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 100 x 160- Kupferauflage: einseitig...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 100X 160X1.5 35/35, 100 x 160, doppelseitig35/35 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 100 x 160- Kupferauflage: doppel...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 200X 300X1.5 35/00, 200 x 300, einseitig35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 200 x 300- Kupferauflage: einseitg-...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 200X 300X1.5 35/35, 200 x 300, doppelseitig35/35 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 200 x 300- Kupferauflage: doppel...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...