Bauteile und Bauelemente (50 Artikel)

10er Pack Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter...

Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...

Brückengleichrichter GBU802 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung -/~/~/+.

Durchkontaktierungsnieten, Bungard, 0.6, 1000 Stück Technische Daten: - Produkt: Durchkontaktierungsnieten 0.6- Verpackungseinheit: 1- Menge pro Einheit: 1000 Technische Daten: Produkt: Durchkontak...

Fotobeschichtetes Leiterplattenmaterial, Bungard, FR4 100X160X1.5 35/00, 100 x 160, einseit.35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 100 x 160- Kupferauflage: e...

Fotobeschichtetes Leiterplattenmaterial, Bungard, FR4 100X160X1.5 35/35, 100 x 160, doppelseit.35/35 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 100 x 160- Kupferauflage...

Fotobeschichtetes Leiterplattenmaterial, Bungard, FR4 150X200X1.5 35/00, 150 x 200, einseit.35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 150 x 200- Kupferauflage: e...

Fotobeschichtetes Leiterplattenmaterial, Bungard, FR4 210X300X1.5 35/00, 210 x 300, einseit.35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 210 x 300- Kupferauflage: e...

Fotobeschichtetes Leiterplattenmaterial, Bungard, FR4 210X300X1.5 35/35, 210 x 300, doppelseit.35/35 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 210 x 300- Kupferauflage...

Fotobeschichtetes Leiterplattenmaterial, Bungard, FR4 75X100X1.5 35/00, 75 x 100, einseit.35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 75 x 100- Kupferauflage: eins...

Gleichrichter GBPC2506W, 600V/25A GBPC2506W - 600 V/25 GBPC2506W - 600 V/25 A

Gleichrichter GBPC3504W, 400V/35A GBPC3504 - 400 V/35 GBPC3504 - 400 V/35 A

Gleichrichter GBPC3506W, 600V/35A GBPC3506W - 600 V/35 GBPC3506W - 600 V/35 A

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5001, 50 A, 100 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5001 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBP154G, 1,5 A, 400 V Einphasen Flachbrücken-Gleichrichter KBP154G, 1,5 A, 400 V mit Lötanschluß. Technische Daten: Typ: Single Phase Glass Passivated Bridge Rect...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 100X 160X1.5 35/00, 100 x 160, einseitig35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 100 x 160- Kupferauflage: einseitig...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 100X 160X1.5 35/35, 100 x 160, doppelseitig35/35 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 100 x 160- Kupferauflage: doppel...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 200X 300X1.5 35/00, 200 x 300, einseitig35/00 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 200 x 300- Kupferauflage: einseitg-...

Leiterplatten Rohmaterial, Bungard, FR4 ROH 200X 300X1.5 35/35, 200 x 300, doppelseitig35/35 Technische Daten: - Produkt: Basismaterial Platine- Plattenmaß (in mm): 200 x 300- Kupferauflage: doppel...

RG-59 Koaxialkabel, doppelt geschirmt Flexibles und 6,2 mm dünnes Satellitenkabel für universelle Anwendungen (75 Ohm)Für alle gängigen BNC-, N-, UHF- und SMA-Stecker geeignetDoppelte Schirmung des...

TAE Telefon-Adapter-Stecker TAE Telefonadapter ermöglicht die Verbindung zwischen einem Telefonkabel mit RJ11-Stecker und einer Telefondose1x RJ11-/RJ14-Stecker mit 6-poliger Belegung und 4-adriger...

TAE Telefon-Adapter-Stecker TAE Telefonadapter ermöglicht die Verbindung zwischen einem Telefonkabel mit RJ11-Stecker und einer Telefondose1x RJ11-/RJ14-Stecker mit 6-poliger Belegung und 4-adriger...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TSM3401CX TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel Technische Daten: Hersteller: Taiwan Semiconductor Produktkategorie: MOSFET Montageart: SMD...