Bauteile und Bauelemente (35 Artikel)

Cubieboard 1&2 Breadboard Lochraster-Adapterplatine für das Cubieboard 1 und 2. Das Cubieboard wird einfach aufgesteckt. Perfekt zum einfachen Aufbau von eigenen Schaltungen! Lochraster-Adapterplat...

Folienkondensator ERO KP1831-"4d", 6,8 nF, 1,6 kV- Axialer Kondensator aus Roederstein-Altbeständen, mit 2 Anschlussdrähten auf jeder Seite. Ideal zum Einsatz im HiFi-Bereich, in Frequenzweichen fü...

Folienkondensator ERO KP1831-"4d", 8,2 nF, 1,6 kV- Axialer Hochspannungs-Kondensator aus Roederstein-Altbeständen, mit 2 Anschlussdrähten auf jeder Seite (parallel geschaltet). Ideal zum Einsatz im...

Folienkondensator VISHAY MKT370, 3,3 nF 0,0033 µF, 10 %, 400 V-, RM 0,0033 µF, 10 %, 400 V-, RM 5.

Folienkondensator VISHAY MKT370, 8,2 nF 0,0082 µF, ± 5 %, 400 V-, RM 5, Maße (LxBxH): 7,2x2,5x6,5 0,0082 µF, ± 5 %, 400 V-, RM 5, Maße (LxBxH): 7,2x2,5x6,5 mm.

Folienkondensator VISHAY MKT371, 39 nF 0,039 µF, 10 %, 250 V-, MKT, RM 7,5 0,039 µF, 10 %, 250 V-, MKT, RM 7,5 mm.

Folienkondensator VISHAY-ROEDERSTEIN KP1830, 820 pF 0,00082 µF, 5 %, 100 V-, RM 5 mm, Maße: 7x4,5x6 0,00082 µF, 5 %, 100 V-, RM 5 mm, Maße: 7x4,5x6 mm.

Folienkondensator VISHAY-ROEDERSTEIN MKT1817, 15 nF 0,015 µF, ± 10 %, 100 V-, RM 5 mm, Maße (LxBxH): 8x3x6 0,015 µF, ± 10 %, 100 V-, RM 5 mm, Maße (LxBxH): 8x3x6 mm.

Folienkondensator VISHAY-ROEDERSTEIN MKT1818, 1 nF 0,001 µF, ± 20 %, 630 V-, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x4x8,5 0,001 µF, ± 20 %, 630 V-, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x4x8,5 mm.

Folienkondensator VISHAY-ROEDERSTEIN MKT1818, 15 nF 0,015 µF, ± 5 %, 250 V-, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x2,5x7,5 0,015 µF, ± 5 %, 250 V-, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x2,5x7,5 mm.

Hochlast-Widerstand mit Sicherungslötstelle TESLA WK 669 44 15 ?, 5 %, 3 W, radial, Maße: 9x11x38 15 ?, 5 %, 3 W, radial, Maße: 9x11x38 mm.

IR-LED SANKEN SID1050M 1,3 V, 50 mA, 940 nm, Ø 5 1,3 V, 50 mA, 940 nm, Ø 5 mm.

Leistungs-MOSFET SI4532CDY Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N+P-Channel, 30 V/ -30 V, 6,0/4,3 A, 1,78 W, Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N+P-Channel, 30 V/ -30 V, 6,0/4,3 A, 1,78 W, SO8.

Thyristor NXP BT145-800R Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 25 A, Zündstrom 5...35 mA , Vgt 1,1 V, Ih 20 mA, Il 25 mA Leistungsthyristor,...

Thyristor NXP BT149D-GURT Kleinleistungsthyristor, Gehäuse SOT54, periodische Spitzensperrspannung 400 V, Durchlassstrom eff. 0,8 A, Zündstrom 50...200 µA , Vgt 0,5 V, Ih 2 mA, Il 2 mA Kleinleistun...