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  Bauteile und Bauelemente (82 Artikel)

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Leistungs-MOSFET IRF540NBBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRF540NBBF Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 ?, Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 ?, TO-220AB.
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IRF540NPBF
ab € 1,84*
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Leistungs-MOSFET IRF8736PBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRF8736PBF Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N-Channel, 30 V, 18 A, 2,5 W, 0,0048 ?, Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N-Channel, 30 V, 18 A, 2,5 W, 0,0048 ?, SO8.
International Rectifier
IRF8736PBF
ab € 1,57*
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Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 ?, TO-220AB.
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IRF9530NPBF
ab € 1,68*
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Leistungs-MOSFET IRF9540NPBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRF9540NPBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 ?, TO-220AB.
International Rectifier
IRF9540NPBF
ab € 1,93*
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Leistungs-MOSFET IRFD024PBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRFD024PBF Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 ?, Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 ?, DIP4.
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IRFD024PBF
ab € 2,69*
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Leistungs-MOSFET IRFD9024PBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRFD9024PBF Leistungs-MOSFET, P-Channel, 60 V, 1,6 A, 1,3 W, 0,28 ?, Leistungs-MOSFET, P-Channel, 60 V, 1,6 A, 1,3 W, 0,28 ?, DIP4.
International Rectifier
IRFD9024PBF
ab € 2,07*
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Leistungs-MOSFET IRFR024NPBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRFR024NPBF Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 17 A, 45 W, 0,075 ?, Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 17 A, 45 W, 0,075 ?, TO-252AA.
International Rectifier
IRFR024NPBF
ab € 2,45*
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Leistungs-MOSFET IRFR1205PBF (1 Angebot) 
Leistungs-MOSFET IRFR1205PBF Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 44 A, 107 W, 0,027 ?, Leistungs-MOSFET, SMD, N-Channel, 55 V, 44 A, 107 W, 0,027 ?, TO-252AA.
International Rectifier
IRFR1205PBF
ab € 1,77*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
Taiwan Semiconductor
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ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
Taiwan Semiconductor
140988
ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
Taiwan Semiconductor
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ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
Taiwan Semiconductor
140990
ab € 0,49*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
Taiwan Semiconductor
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ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
Taiwan Semiconductor
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ab € 0,54*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH (1 Angebot) 
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
Taiwan Semiconductor
140993
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