Bauteile und Bauelemente (76 Artikel)

Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...

Brückengleichrichter GBU802 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung -/~/~/+.

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-16-P, 6 V-, 525 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser. Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebe...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-24-P, 6 V-, 350 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser. Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebe...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-256-E, 6 V-, 33 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser, Gleitlager und Metallachse. Kräftiger, universell einse...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-36-P, 6 V-, 233 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser. Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebe...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-384-E, 6 V-, 22 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser, Gleitlager und Metallachse. Kräftiger, universell einse...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-576-E, 6 V-, 15 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser, Gleitlager und Metallachse. Kräftiger, universell einse...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD016016-96-P, 6 V-, 88 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 16 mm Durchmesser. Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebem...

DC-Getriebemotor ZHAOWEI ZWPD024024-24-P, 12 V-, 210 U/min Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getriebemotor mit 24 mm Durchmesser. Kräftiger, universell einsetzbarer Gleichstrom-Getrieb...

EPCOS Folienkondensator B32520, 0,1 µF 0,1 µF, 5 %, 100 V-, RM 7,5 mm, radial, Maße (LxBxH): 10x2,4x7,2 mm.

Epcos Funkentstörkondensator B32923, 0,47 µF, 305 V~ X2 Funkentstör-Folienkondensator mit Polypropylen-Dielektrikum (MKP) und Selbstheilungs-Eigenschaften. Nach DIN EN / IEC 60384. Technische Daten...

Epcos Funkentstörkondensator B32923, 1 µF, 305 V~ X2 Funkentstör-Folienkondensator mit Polypropylen-Dielektrikum (MKP) und Selbstheilungs-Eigenschaften. Nach DIN EN / IEC 60384. Technische Daten: K...

Epcos Funkentstörkondensator B81133, 0,15 µF, 275 V~ X2 Funkentstör-Folienkondensator mit Polyester-Dielektrikum (MKT) und Selbstheilungs-Eigenschaften. Nach DIN EN 132400. Technische Daten: Klasse...

Folienkondensator EPCOS B32520, 22 nF 0,022 µF, 10 %, 400 V-, RM 7,5 0,022 µF, 10 %, 400 V-, RM 7,5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32520, 330 nF 0,33 µF, 5 %, 100 V-/63 V~, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x4x8,5 0,33 µF, 5 %, 100 V-/63 V~, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x4x8,5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32520, 68 nF 0,068 µF, 5 %, 250 V-/160 V~, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x3x8 0,068 µF, 5 %, 250 V-/160 V~, RM 7,5 mm, Maße (LxBxH): 10x3x8 mm.

Folienkondensator EPCOS B32522, 100 nF 0,1 µF, ± 5 %, 400 V-/200 V~, RM 15, Maße (LxBxH): 18x5x10,5 0,1 µF, ± 5 %, 400 V-/200 V~, RM 15, Maße (LxBxH): 18x5x10,5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32529, 1,2 nF 0,0012 µF, 10 %, 63 V-/40 V~, RM 5 mm, Maße (LxBxH): 7,5x2,5x6,5 0,0012 µF, 10 %, 63 V-/40 V~, RM 5 mm, Maße (LxBxH): 7,5x2,5x6,5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32529, 12 nF 0,012 µF, 10 %, 63 V-, RM 5 0,012 µF, 10 %, 63 V-, RM 5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32529, 2,2 nF 0,0022 µF, 10 %, 400 V-/200 V~, RM 5 mm, Maße (LxBxH): 7,5x2,5x6,5 0,0022 µF, 10 %, 400 V-/200 V~, RM 5 mm, Maße (LxBxH): 7,5x2,5x6,5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32560, 56 nF 0,056 µF, 5 %, 250 V-, MKT, RM 7,5 0,056 µF, 5 %, 250 V-, MKT, RM 7,5 mm.

Folienkondensator EPCOS B32561, 15 nF 0,015 µF, ± 5 %, 400 V-, MKT, RM 10 0,015 µF, ± 5 %, 400 V-, MKT, RM 10 mm.

Folienkondensator EPCOS B32561, 82 nF 0,082 µF, 10 %, 250 V-, MKT, RM 10 0,082 µF, 10 %, 250 V-, MKT, RM 10 mm.

Folienkondensator EPCOS B32562, 0,15 µF 0,15 µF, ± 10 %, 400 V-/200 V~, MKT, RM 15 0,15 µF, ± 10 %, 400 V-/200 V~, MKT, RM 15 mm.

Gleichrichter GBPC2506W, 600V/25A GBPC2506W - 600 V/25 GBPC2506W - 600 V/25 A

Gleichrichter GBPC3504W, 400V/35A GBPC3504 - 400 V/35 GBPC3504 - 400 V/35 A

Gleichrichter GBPC3506W, 600V/35A GBPC3506W - 600 V/35 GBPC3506W - 600 V/35 A

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU405, 4 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU405 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 4 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K gelb Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade Ba...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K grün Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade Ba...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K rot Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade Bau...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K schwarz Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade...

Kaltleiter EPCOS B598-C120-A70 B598-C120-A70 - Widerstand bei 25 °C: 27 B598-C120-A70 - Widerstand bei 25 °C: 27 ?

NTC EPCOS K164NE100-10, 100 ? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 100 ?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchmes...

NTC EPCOS K164NE470-10, 470 ? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 470 ?, Anwendungsbereich von -55...+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchm...

NTC EPCOS K164NK001-10, 1 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 1 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchmesse...

NTC EPCOS K164NK001.5-10, 1,5 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 1,5 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durc...

NTC EPCOS K164NK002.2-10, 2,2 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 2,2 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durc...

NTC EPCOS K164NK010-10, 10 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 10 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchmes...

NTC EPCOS K164NK015-10, 15 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 15 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchmes...

NTC EPCOS K164NK022-10, 22 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 22 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchmes...

NTC EPCOS K164NK047-10, 47 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 47 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchmes...

NTC EPCOS K164NK100-10, 100 k? Für Temperatur-Messung, -Regelung und -Kompensation. Widerstand bei 25 °C = 100 k?, Anwendungsbereich von -55…+125 °C, Belastung max. 450 mW, Rastermaß 5,0 mm, Durchm...

PTC EPCOS B59901, Code 351 D901-Grenztemperatursensor für Mess- und Kontrollzwecke mit kurzen Ansprechzeiten. Technische Daten: Stempelcode D901/351 Betriebsspannung: max. 30 V T(NTT): 80°C R(N): <...

SAW Filter EPCOS G3956M ZF-Filter für Multimedia-Applikationen, 38,9 MHz, ZF-Filter für Multimedia-Applikationen, 38,9 MHz, SIP5K.

SAW Filter EPCOS K9354D ZF-Filter für Audio-Applikationen, 38,9 MHz, ZF-Filter für Audio-Applikationen, 38,9 MHz, SIP5D.

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

VDR EPCOS SFS14K385E2 (B72214F2381K101), 385 V~, 0,6 W Radialer Varistor im Kunststoffgehäuse. Radialer Varistor im Kunststoffgehäuse. Technische Daten: VRMS: 385 V VDC: 505 V Imax (8/20 µs): 5000 ...