Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...
Gehäuse, FIBOX, Euronord PCT 152008, 201x151x80, PC Gehäuse, transparenter Deckel Die FIBOX EURONORD-Gehäuseserie wurde speziell für den Einbau von Reihenklemmen auf DIN-Schienen bzw. die Unterbrin...
Gehäuse, FIBOX, Tempo TA 090706, 95x65x60, ABS Gehäuse, grauer Deckel FIBOX Tempo-Gehäuse sind besonders praktisch in der Handhabung, weil sie speziell zu dem Zweck konzipiert worden sind, bei ihre...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5001, 50 A, 100 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5001 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU405, 4 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU405 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 4 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...
Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...
Spannungswandler MC34063A DIP 8, Betriebsspannung 5...48 V-, Auf- und Abwärtsregelung bis 1,5 DIP 8, Betriebsspannung 5...48 V-, Auf- und Abwärtsregelung bis 1,5 A.
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...
TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...