Bauteile und Bauelemente (52 Artikel)

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K gelb Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade Ba...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K grün Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade Ba...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K rot Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade Bau...

HIRSCHMANN Büschel-Stecker BSB 20 K schwarz Büschelstecker mit Schraubanschluss und Leitungseinführung längs oder quer in Turmsteckbauweise. Technische Daten: Anschluss: Schraub Ausrichtung: gerade...

SAT-Antennenkabel (Class A, >85 dB), doppelt geschirmt 3 m Doppelt geschirmtes Satellitenkabel für eine störungsfreie ÜbertragungBeidseitig vergossener Stecker zum Schutz vor Staub, Schmutz und mec...

Schutzgitter, EBM-PAPST, LZ26, Stahldraht, Ø 172 Technische Daten: Material: Stahldraht Baugröße: Ø 172 Montageseite: Saug-/Druckseitig

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...