Bauteile und Bauelemente (43 Artikel)

Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...

Brückengleichrichter GBU802 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung -/~/~/+.

Gehäuse, TEKO TEK-CORAL.9, ABS + PC, Schwarz, 100,8 x 73,7 x 29,25 mm TEK-CORAL ist das perfekte Gehäuse für diejenigen, die das Google Coral-Entwicklungsboard für ihre Projekte verwenden. Es beste...

Gleichrichter GBPC3504W, 400V/35A GBPC3504 - 400 V/35 GBPC3504 - 400 V/35 A

Gleichrichter GBPC3506W, 600V/35A GBPC3506W - 600 V/35 GBPC3506W - 600 V/35 A

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5001, 50 A, 100 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5001 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU405, 4 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU405 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 4 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

Ringkerndrossel TALEMA DPU100A3 100 µH - 3 A - 0,08 ? - 458 µJ - 25x12 100 µH - 3 A - 0,08 ? - 458 µJ - 25x12 mm

Schaltspannungsregler MC33063AP1G, ON-SEMICONDUCTOR Technische Daten: Ausgang: einstellbar Anzahl Kanäle: 1 Montage: Durchkontaktierung Betriebstemperatur: -40 °C - 85 °C Anzahl Pins: 8

Spannungswandler MC34063A DIP 8, Betriebsspannung 5...48 V-, Auf- und Abwärtsregelung bis 1,5 DIP 8, Betriebsspannung 5...48 V-, Auf- und Abwärtsregelung bis 1,5 A.

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TEKO Gehäuse, 10011.9, ABS, Schwarz, 90 x 56 x 22 mm, Soap 2 Technische Daten: Material: ABS RAL: 9004 Farbe: Schwarz Abmessung: 90 x 56 x 22 mm Serie: Soap 2 Herstellerteilenummer: 10011.9 Besonde...

TEKO Gehäuse, 363.8, ABS, Dunkelgrau, 216 x 130 x 77,7 mm, Pult 36 Technische Daten: Material: ABS RAL: 7037 Farbe: Dunkelgrau Abmessung: 216 x 130 x 77,7 mm Serie: Pult 36 Herstellerteilenummer: 3...

TEKO Gehäuse, P/2.10, ABS, Benzinblau, 110 x 70 x 48 mm, P Technische Daten: Material: ABS RAL: 5020 Farbe: Benzinblau Abmessung: 110 x 70 x 48 mm Serie: P Herstellerteilenummer: P/2.10 Besonderhei...

TSM3401CX TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel Technische Daten: Hersteller: Taiwan Semiconductor Produktkategorie: MOSFET Montageart: SMD...

Transistor, ON Semiconductor, Kleinsignal, BC327-25BU Technische Daten: - Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,8A - P-max: 0,62W Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: TO92 U-max: 45...