Bauteile und Bauelemente (48 Artikel)

Audio-Leistungsverstärker TS34119CS, TAIWAN SEMICONDUCTOR Als Treiber für Kleinstlautsprecher (Telefon) und Ohrhörer. Ideal für Batteriebetrieb, da geringer Stromverbrauch, 5 mA ohne Aussteuerung, ...

Blindstecker, TE Connectivity, 1745022-1 Technische Daten: Serie: AMP-Superseal 1.5mm Series Produkt-Art: Blindstecker Hersteller-Artikelnummer: 1745022-1

Brückengleichrichter GBU802 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung 70 V~/8 A, flache Bauform (21,8x3,3x18,3 mm), Belegung -/~/~/+.

Buchsengehäuse-Kabel, TE Connectivity, 172157-1, Universal-MATE-N-LOK, Buchse, Einbau Technische Daten: Bauform: Buchse, Einbau Steckverbindersystem: wire-to-board RM: 4,20 mm Polzahl pro Reihe: 2 ...

Buchsengehäuse-Kabel, TE Connectivity, 282080-2, AMP-Superseal 1.5mm Series, Stecker, gerade Technische Daten: Bauform: Stecker, gerade Steckverbindersystem: automotive RM: 6 mm Polzahl pro Reihe: ...

Buchsengehäuse-Kabel, TE Connectivity, 350767-1, Universal-MATE-N-LOK, Buchse, Einbau Technische Daten: Bauform: Buchse, Einbau Steckverbindersystem: wire-to-wire RM: 6,35 mm Polzahl pro Reihe: 3 P...

Buchsengehäuse-Kabel, TE Connectivity, 350780-1, Universal-MATE-N-LOK, Buchse, Einbau Technische Daten: Bauform: Buchse, Einbau Steckverbindersystem: wire-to-wire RM: 6,35 mm Polzahl pro Reihe: 4 P...

D-SUB Buchsenleiste, TE Connectivity, 164531-4, 9 Technische Daten: Polzahl: 9 Anzahl Reihen: 2 Anschluss: Crimpen Anschlusswinkel: 180 ° Typ: AMPLIMITE HDP-20 Produkt-Art: D-SUB Buchsenleiste Hers...

D-SUB Stiftleiste, TE Connectivity, 167292-1, 9 Technische Daten: Polzahl: 9 Anzahl Reihen: 2 Anschluss: Crimpen Anschlusswinkel: 180 ° Typ: AMPLIMITE HDP-20 Produkt-Art: D-SUB Stiftleiste Herstell...

Diode 1N4148, axial PD 500 mW, IFM 450 mA, IFSM 2 A, VRRM 100 V, PD 500 mW, IFM 450 mA, IFSM 2 A, VRRM 100 V, DO-35.

Gleichrichter GBPC3504W, 400V/35A GBPC3504 - 400 V/35 GBPC3504 - 400 V/35 A

Gleichrichter GBPC3506W, 600V/35A GBPC3506W - 600 V/35 GBPC3506W - 600 V/35 A

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL154G, 1,5 A, 400 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL154G, 1,5 A, 400 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL155G, 1,5 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL155G, 1,5 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL205G, 2 A, 600 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL205G, 2 A, 600 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL206G, 2 A, 800 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL206G, 2 A, 800 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-Bau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR DBL207G, 2 A, 1000 V DIP-Gleichrichter in IC-Bauweise DBL207G, 2 A, 1000 V geeignet zum Einlöten oder zum Einstecken in einen IC-Sockel. DIP-Gleichrichter in IC-B...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5001, 50 A, 100 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5001 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5004, 50 A, 400 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5004 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5006, 50 A, 600 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5006 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBPC5008, 50 A, 800 V Der Leistungsbrückengleichrichter GBPC5008 mit metallischer Kühlfläche und Bohrung zur Anbringung eines Kühlkörpers liefert 50 Ampere bei ei...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU805, 8 A, 600 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU805 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 600...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR GBU806, 8 A, 800 V Der Flachbrücken-Gleichrichter GBU806 liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 800...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL402G, 4 A, 100 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL402G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 100 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBL406G, 4 A, 800 V Mit einem zusätzlichen Kühlkorper ausgestattet leistet der KBL406G Flachbrücken-Gleichrichter, bei einer Spitzensperrspannung von 800 Volt dau...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU1004G, 10 A, 400 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU1004G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 10 Ampere bei einer Spitzensperrspannung v...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR KBU802G, 8 A, 100 V Der Flachbrücken-Gleichrichter KBU802G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen Stom von 8 Ampere bei einer Spitzensperrspannung von 1...

Gleichrichter TAIWAN-SEMICONDUCTOR TS50P07G, 50 A, 1000 V Der Flachbrücken Leistungsgleichrichter TS50P07G liefert in Verbindung mit einem Kühlkörper einen maximalen Stom von 50 Ampere, bei einer S...

Rundstecker, TE Connectivity, 967650-1, Buchse, gerade Technische Daten: Bauform: Buchse, gerade Polzahl: 7 Anschluss: Crimpen Herstellerfarbe: 180 ° Verschluss: Bajonett Nennspannung: 230 V Schutz...

Stiftgehäuse-Kabel, TE Connectivity, 350766-1, Universal-MATE-N-LOK, Stecker, gerade Technische Daten: Bauform: Stecker, gerade Steckverbindersystem: wire-to-wire RM: --- Polzahl pro Reihe: 3 Polza...

Stiftgehäuse-Kabel, TE Connectivity, 350766-4, Universal-MATE-N-LOK, Stecker, gerade Technische Daten: Bauform: Stecker, gerade Steckverbindersystem: wire-to-wire RM: 6,35 mm Polzahl pro Reihe: 3 P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 24 V Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 26 V Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 28 V Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 30 V Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 43 V Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 11 V Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 12 V Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 13 V Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 14 V Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 15 V Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 16 V Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 20 V Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V Peak Pulse Power Pppm: 6600 W P...

TE Connectivity Buchsengehäuse-Kabel, 180907, FASTIN-FASTON, Buchse, gerade Technische Daten: Bauform: Buchse, gerade Steckverbindersystem: wire-to-board RM: 7,4 mm Polzahl pro Reihe: 2 Polzahl ges...

TE Connectivity Buchsengehäuse-Kabel, 350778-1, Universal-MATE-N-LOK, Buchse, Einbau Technische Daten: Bauform: Buchse, Einbau Steckverbindersystem: wire-to-wire RM: 6,35 mm Polzahl pro Reihe: 2 Po...

TE Connectivity Crimpkontakt, 183025-1, automotiv Technische Daten: Steckverbindersystem: automotiv Stiftform: rechteckig Anschluss: Crimpen Kontaktoberfläche: verzinnt Nennstrom: 11 A Nennspannung...

TSM3401CX TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-Channel Technische Daten: Hersteller: Taiwan Semiconductor Produktkategorie: MOSFET Montageart: SMD...