IGBT onsemi Infineon bei Mercateo günstig kaufen

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Infineon Smart Power Modul / 20 A 6-fach, 3,21 V 156 W, 18-Pin DIP 36 x 23 D. N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3,21 V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = DIP 36 x 23 D. Channel-Typ = N Pinanzahl = 18 Transistor-Konfiguration = Serie

Infineon

IM818LCCXKMA1

ab € 6 827,66*
pro 280 Stück

onsemi IGBT-Modul / 409 A ±20V max. Quad, 1000 V 959 W 93x47 (Lötanstift) (bleifrei/halogenfrei), PIM44 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 409 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 959 W Gehäusegröße = 93x47 (Lötanstift) (bleifrei/halogenfrei), PIM44

onsemi

NXH400N100H4Q2F2SG

ab € 6 275,97*
pro 36 Stück

onsemi IGBT-Modul / 303 A ±20V max. Quad, 1000 V 592 W Q2PACK (bleifrei/halogenfrei) (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 303 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 4 Gehäusegröße = Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)

onsemi

NXH350N100H4Q2F2P1G

ab € 4 767,52032*
pro 36 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA ±20V max., 2300 V 2700 kW PRIME3+ (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 2300 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2700 kW Gehäusegröße = PRIME3+ Montage-Typ = Schraubmontage

Infineon

FF1800R23IE7PBPSA1

ab € 4 414,06002*
pro 3 Stück

Infineon IGBT / 250 A ±20V max. Triple, 6500 V 1000 kW, 5-Pin CTI (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 250 A Kollektor-Emitter-Spannung = 6500 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 3 Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5

Infineon

FZ250R65KE3NPSA1

ab € 4 237,09*
pro 4 Stück

onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 101 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2PG

ab € 4 129,34004*
pro 36 Stück

Infineon IGBT ±20V max. 62,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal (1 Angebot)

Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 62,5 W Gehäusegröße = PG-TDSON-8 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 8

Infineon

BSC16DN25NS3GATMA1

ab € 4 064,75*
pro 5 000 Stück

onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max. 6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 73 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

ab € 3 844,22004*
pro 36 Stück

Infineon IGBT-Modul / 950 A ±20V max. 6-fach, 750 V 870 W HybridPACK (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 950 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = HybridPACK

Infineon

FS950R08A6P2BBPSA1

ab € 3 457,49004*
pro 6 Stück

onsemi IGBT-Modul Quad 119 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (1 Angebot)

Anzahl an Transistoren = 4

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

ab € 3 446,38*
pro 28 Stück

Infineon IGBT-Modul / 760 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 760 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33 Der In...

Infineon

FS380R12A6T4BBPSA1

ab € 3 322,37004*
pro 6 Stück

Infineon IGBT / 200 A 15V max. Triple, 750 V 1,07 kW TO247PLUS (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 1,07 kW Gehäusegröße = TO247PLUS

Infineon

AIKQ200N75CP2XKSA1

ab € 3 147,5304*
pro 240 Stück

onsemi IGBT-Modul Quad 74 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (1 Angebot)

Verlustleistung max. = 74 W

onsemi

NXH040F120MNF1PTG

ab € 3 027,72008*
pro 28 Stück

onsemi Smart Power Modul 6-fach, 600 V 50 W, 38-Pin DIP N-Kanal (1 Angebot)

Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Verlustleistung max. = 50 W Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 38 Transistor-Konfiguration = Serie

onsemi

NFAQ1560R43TL

ab € 2 880,392*
pro 400 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA ±20V max., 2300 V 2700 kW PRIME3+ (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 2300 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2700 kW Gehäusegröße = PRIME3+ Montage-Typ = Schraubmontage

Infineon

FF1800R23IE7BPSA1

ab € 2 879,44*
pro 2 Stück

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