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Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Fairchild
ISL9V3040P3
ab € 1,30*
pro Stück
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V5036S3ST
ab € 1,90*
pro Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 238 W Gehäusegröße = D2PAK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
onsemi
AFGB40T65SQDN
ab € 2,29*
pro Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 238 W Gehäusegröße = D2PAK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
onsemi
AFGB40T65SQDN
ab € 2,71*
pro Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 267 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
onsemi
AFGHL40T65SPD
ab € 2,77*
pro Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 1 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 1 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
onsemi
AFGHL40T65SQ
ab € 1 128,564*
pro 450 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 1 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 1 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
onsemi
AFGHL40T65SQ
ab € 2,23*
pro Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL40T65SQD
ab € 1 040,301*
pro 450 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 238 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
onsemi
AFGHL40T65SQD
ab € 2,45*
pro Stück
onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL50T65SQ
ab € 1,84*
pro Stück
onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
onsemi
AFGHL50T65SQ
ab € 2,30*
pro Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
onsemi
AFGHL50T65SQD
ab € 908,613*
pro 450 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
onsemi
AFGHL50T65SQD
ab € 2,22*
pro Stück
onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
onsemi
AFGHL75T65SQ
ab € 103,4301*
pro 30 Stück
onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
onsemi
AFGHL75T65SQ
ab € 2,87*
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