IGBT-Module Infineon bei Mercateo günstig kaufen

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Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: PCB Betriebstemperatur: -25...85°C Gehäuse: AG-EICE Versorgungsspannung: 14...16V DC Frequenz: 60kHz Ausgangsstrom: 30A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwen...

Infineon

2ED300C17SROHSBPSA1

ab € 125,11*
pro Stück

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: PCB Betriebstemperatur: -40...85°C Gehäuse: AG-EICE Versorgungsspannung: 14...16V DC Frequenz: 60kHz Ausgangsstrom: 30A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwen...

Infineon

2ED300C17STROHSBPSA1

ab € 134,56*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-34MM-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...

Infineon

BSM200GB60DLC

ab € 79,19*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...

Infineon

DDB6U104N16RRBPSA1

ab € 85,79*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 70A (2 Angebote)

Infineon

DDB6U134N16RRBPSA1

ab € 87,21*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im...

Infineon

DDB6U50N16W1RBPSA1

ab € 29,13*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (3 Angebote)

Infineon

DDB6U75N16W1RBOMA1

ab € 26,68*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...

Infineon

DF400R12KE3HOSA1

ab € 125,93*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO4-1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom ...

Infineon

F3L300R07PE4

ab € 207,80*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x2; Ic: 150A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektor...

Infineon

F4150R12KS4BOSA1

ab € 212,51*
pro Stück

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x2; Ic: 75A (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektors...

Infineon

F475R06W1E3BOMA1

ab € 22,65*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 1-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (2 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom ...

Infineon

FB30R06W1E3BOMA1

ab € 25,63*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3,3kV (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-IHVB190 Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1kA Kollektorstrom i...

Infineon

FD1000R33HE3KBPSA1

ab € 2 114,90*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 300A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...

Infineon

FD300R06KE3HOSA1

ab € 69,10*
pro Stück

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (2 Angebote)

Infineon

FD300R12KE3HOSA1

ab € 120,45*
pro Stück

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