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  IGBT-Module (56 Artikel)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektor...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
ab € 80,72*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...
Infineon
IFF450B12ME4PB11BPSA1
ab € 166,11*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A; 4,3kW (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 900A Kollektorstr...
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
ab € 137,21*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
ab € 128,07*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A; 2,5kW (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstr...
Infineon
FZ400R17KE4HOSA1
ab € 82,70*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; AG-62MM (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom...
Infineon
FZ400R12KS4HOSA1
ab € 108,30*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY2B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektors...
Infineon
FS75R12W2T4B11BOMA1
ab € 62,16*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; 270W (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorst...
Infineon
FS50R12KE3BPSA1
ab € 97,53*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 1kW (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektor...
Infineon
FS200R12KT4RB11BOSA1
ab € 318,88*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY750-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektor...
Infineon
FS15R12VT3BOMA1
ab € 15,25*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO4-1 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektor...
Infineon
FS150R17PE4BOSA1
ab € 217,00*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 750W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektor...
Infineon
FS150R12KT4BOSA1
ab € 121,43*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY2B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektor...
Infineon
FS100R12W2T7B11BOMA1
ab € 62,92*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom ...
Infineon
FP75R12KT4
ab € 208,85*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom ...
Infineon
FP50R12KT3BOSA1
ab € 98,80*
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