Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > IGBT-Module

  IGBT-Module (1 144 Artikel)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom ...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
ab € 24,77*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
ab € 24,82*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im ...
ST Microelectronics
STGE200NB60S
ab € 24,89*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 124A V...
IXYS
IXDN55N120D1
ab € 24,90*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 75A A...
IXYS
MIXA30W1200TML
ab € 24,98*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65L2S
ab € 25,14*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 1-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom ...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
ab € 25,40*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65F1S
ab € 25,48*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
ab € 25,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 106A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 106A Kollektorstrom im Impuls: 350...
Vishay
VS-GT90DA120U
ab € 25,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 170A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA...
IXYS
IXGN320N60A3
ab € 25,85*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Impuls: 45A Anwend...
IXYS
MIXA20WB1200TML
ab € 26,00*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A An...
IXYS
MIXA150R1200VA
ab € 26,04*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120JU3
ab € 26,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120JU2
ab € 26,09*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   77   vorwärts
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.