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  IGBT-Module (1 144 Artikel)

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Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV (1 Angebot) 
Hersteller: POWER INTEGRATIONS Montage: Stiftleiste Betriebstemperatur: -40...105°C Versorgungsspannung: 14,5...15,5V DC Frequenz: 50kHz Ausgangsstrom: 6A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Eigenschafte ...
Power Integrations
2SC0106T2A1-12
ab € 26,15*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x2; Ic: 75A (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektors...
Infineon
F475R06W1E3BOMA1
ab € 26,24*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 52A Kollektorstrom im Impuls: 360A V...
IXYS
IXGN72N60C3H1
ab € 26,39*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 175A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A Ve...
IXYS
MIXA150Q1200VA
ab € 26,60*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1 (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FSX65L2S
ab € 26,74*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
ab € 26,86*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom ...
Infineon
FP20R06W1E3B11BOMA1
ab € 27,14*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 100A...
Powersem
PSSI 75/12
ab € 27,38*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA70I1200NA
ab € 27,55*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITOP2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SK 35 GB 12T4 24914900
ab € 27,88*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstro...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S
ab € 27,95*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1kA V...
IXYS
IXXN200N60B3
ab € 27,96*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU2
ab € 27,98*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Leistung: 4kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Anwen...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB126V1 25230010
ab € 28,14*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 105A ...
IXYS
MIXA40W1200TML
ab € 28,33*
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