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  IGBT-Module (1 142 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; asymmetrische Brücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT150DH60TG
ab € 113,47*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper x2,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGL60DDA120T3G
ab € 73,08*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGLQ100DA120T1G
ab € 66,65*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SimBus F Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 250A Kollektorstrom im Impuls: 500A Ver...
IXYS
MIXA225RF1200TSF
ab € 56,24*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12E4S 27890102
ab € 126,31*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS 27890103
ab € 137,03*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL12E4S 27890220
ab € 220,91*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL17E4S 27892120
ab € 260,17*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX452GAL126HDS 27890685
ab € 268,34*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 379A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 379A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAL066HDS 27891104
ab € 85,98*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL17E4P 27894424
ab € 375,71*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL17E4S 27892132
ab € 363,98*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL12E4S 27890144
ab € 305,68*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX653GAL176HDS 27890540
ab € 431,05*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAL066HDS 27891130
ab € 294,95*
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