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  IGBT-Module (1 142 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 75A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Einheitspreis: N...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75UZ12GJ
ab € 18,15*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-U (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Imp...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75U12GJ
ab € 18,22*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Einheitspreis: N...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
ab € 18,20*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 50A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Einheitspreis: Ne...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
ab € 18,21*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im Impuls: 7...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG35P12P3
ab € 28,19*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 5...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG25P12P3
ab € 22,34*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: C2 62mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom i...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG200HF12MRC2
ab € 48,47*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Impuls: 3...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG15P12P2
ab € 16,39*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Impuls: 2...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG10P12P2
ab € 13,37*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100UZ12GJ
ab € 18,20*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom i...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100HF12MRC1
ab € 21,05*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 106A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 106A Kollektorstrom im Impuls: 350...
Vishay
VS-GT90DA120U
ab € 25,53*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 170A...
Vishay
VS-GT80DA120U
ab € 24,78*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: Dual INT-A-Pak LP16mm Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom...
Vishay
VS-GT400TD60S
ab € 215,56*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Halbbrücke MOSFET + Reihendioden (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: Dual INT-A-Pak Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impuls: ...
Vishay
VS-GT300YH120N
ab € 170,21*
pro Stück
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