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  100nes  (200 Angebote unter 20 929 081 Artikeln)

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Infineon IRS2453DS (3 Angebote)
Infineon
IRS2453DSTRPBF
ab € 0,95*
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92%
Diode: Gleichrichter; THT; 800V; 8A; Tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AC Rückspannung max.: 0,8kV Vorwärtsstrom max.: 16A Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 8A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Bereitschaft...
onsemi
MUR880EG
ab € 0,48*
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Broadcom LWL-Transceiver Rechteckig 40ns 100ns (1 Angebot) 
Steckerform = Rechteckig Sender Regelanstiegszeit = 40ns Sender typ. Abfallzeit = 100ns
Broadcom
AFBR-S10TR001Z
ab € 26,51*
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92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 890W...
IXYS
IXFT150N20T
ab € 12,80*
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92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 714W...
IXYS
IXFK120N20P
ab € 8,67*
pro Stück
 
 Stück
92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 69A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W ...
IXYS
IXFT69N30P
ab € 7,68*
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 Stück
92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 230...
IXYS
IXTP80N10T
ab € 1,52*
pro Stück
 
 Stück
92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; TO264; 100ns (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 550A Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25...
IXYS
IXTK550N055T2
ab € 15,88*
pro Stück
 
 Stück
92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO247-3; 100ns (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 69A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500...
IXYS
IXFH69N30P
ab € 6,93*
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92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 600A Widerstand im Leitungszustand: 1,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1...
IXYS
IXTX600N04T2
ab € 15,41*
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92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89...
IXYS
IXFH150N20T
ab € 11,44*
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 Stück
92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 600A Widerstand im Leitungszustand: 1,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25...
IXYS
IXTK600N04T2
ab € 15,84*
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92%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; PLUS247™; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 550A Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1...
IXYS
IXTX550N055T2
ab € 15,29*
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92%
Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 180 mA 15.6V 8-Pin SOIC 100ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS, LSTTL Ausgangsstrom = 180 mA Versorgungsspannung = 15.6V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOICns Anzahl der Treiber = 2
Infineon
IR25603STRPBF
ab € 1,21*
pro Stück
 
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92%
Diode: Gleichrichter; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: DC COMPONENTS Montage: THT Gehäuse: DO41 Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsspannung max.: 1,7V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Bereitschaftszeit: 100ns Strom im ...
DC COMPONENTS
HER108
ab € 0,38*
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