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Vishay SISH103DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 54 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISH103DN-T1-GE3
ab € 0,45*
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Vishay SISH103DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 54 A, 8-Pin 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SISH103DN-T1-GE3
ab € 0,30003*
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Vishay SIS4608DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35,7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIS4608DN-T1-GE3
ab € 0,46*
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Vishay SIS4634LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIS4634LDN-T1-GE3
ab € 1 033,77*
pro 3 000 Stück
 
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Vishay SQS180ELNW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 141 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 141 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQS180ELNW-T1_GE3
ab € 0,57*
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Vishay SIS4634LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIS4634LDN-T1-GE3
ab € 0,36*
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Vishay SIS9446DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 34 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SIS9446DN-T1-GE3
ab € 2 223,66*
pro 3 000 Stück
 
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Vishay SQS460EN-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SQS460EN-T1_GE3
ab € 0,49*
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Vishay SIS9446DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 34 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SIS9446DN-T1-GE3
ab € 0,75*
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Vishay SISH107DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 34,4 A, 8-Pin 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 34,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISH107DN-T1-GE3
ab € 0,25638*
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Vishay TrenchFET SiS590DN-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,167 O, 0,251 O. Channel-Modus = ...
Vishay
SiS590DN-T1-GE3
ab € 0,50*
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Vishay SISH107DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 34,4 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 34,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISH107DN-T1-GE3
ab € 0,38*
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Vishay SISS4410DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
ab € 1 214,34*
pro 3 000 Stück
 
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Vishay SISS4410DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
ab € 0,41*
pro Stück
 
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Vishay SQS180ELNW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 141 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 141 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQS180ELNW-T1_GE3
ab € 1 396,23*
pro 3 000 Stück
 
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