TE Connectivity 2013289-2

SO-DIMM-Stecksockel, 2013289-2, TE Connectivity DRAM-Typ: Doppeldatenrate (DDR) 3, Steckverbindersystem: Kabel-an-Leiterplatte, Abdichtbar: Nein, Anschluss von Steckverbinder & Kontakt an: Leiterplatte, Produkttyp: Buchse, Mittelschlüssel: Links versetzt, Modulausrichtung: Rechter Winkel, Anzahl von Positionen: 204, Zeilenanzahl: 2, Kodierung: Standard, DRAM-Spannung: 1.5 V, SGRAM-Spannung: 1.5 V, Auswurfapparattyp: Verriegelung, Profil des Steckverbinders: Standard, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Beschichtungsmaterial des Steckbereichs des Kontakts: Gold, Dicke des Beschichtungsmaterials des Steckbereichs des Kontakts: 0.254 µm, Kontaktnennstrom (max.): 0.5 A, Stecksockeltyp: Speicherkarte, Einführungsausführung: Cam-In, Art der Leiterplattenmontage: Lötstift, Montageausführung für Leiterplatte: Oberflächenmontage, Art der Steckverbindermontage: Leiterplattenmontage, Raster: 0.6 mm, Gehäusefarbe: Schwarz, Stapelhöhe: 5.2 mm, Row-to-Row Spacing: 8.2 mm, Betriebstemperaturbereich: -55 - 85 °C, Stromkreis Anwendung: Power, UL-Brandschutzklasse: UL 94V-0, Verpackungsmethode: Montage halbfester Einsatz, Verpackungsmenge: 20, Kommentar: Mit schwimmendem Stift.