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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 75V; 70A; Idm: 280A; 53W (1 Angebot)

Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 4,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 53W Polarisie...

SHINDENGEN

P70F7R5EN-5600

ab € 0,97*
pro Stück

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Thyristor: mit Schraubenverb; 600V; Ifmax: 440A; 280A; Igt: 150mA (1 Angebot)

Hersteller: KUBARA LAMINA Montage: schraubbar Gehäuse: TO93;TO209AB Montagegewinde: M20x1,5 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsstrom max.: 440A Vorwärtsstrom: 280A Gatestrom: 150mA Strom im max. Impu...

KUBARA LAMINA

T62-280-06

ab € 40,25*
pro Stück

90%

Thyristor: mit Schraubenverb; 400V; Ifmax: 440A; 280A; Igt: 150mA (1 Angebot)

Hersteller: KUBARA LAMINA Montage: schraubbar Gehäuse: TO93;TO209AB Montagegewinde: M20x1,5 Rückspannung max.: 0,4kV Vorwärtsstrom max.: 440A Vorwärtsstrom: 280A Gatestrom: 150mA Strom im max. Impu...

KUBARA LAMINA

T62-280-04

ab € 40,12*
pro Stück

90%

SPG/14828 SPG/14828 CYL.PRA/862063/MUR/218A (1 Angebot)

SPG/14828 SPG/14828 CYL.PRA/862063/MUR/218A

IMI Norgren

SPG/14828

ab € 923,60*
pro Stück

90%

Legrand 037398 Elektrogehäusezubehör (1 Angebot)

Legrand

037398

ab € 59,05*
pro 10 Stück

90%

STARPOWER GD150HFX170C2S TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 1.7KV, 280A (1 Angebot)

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Bauform - Transistor: Modul Dauer-Kollektorstrom: 280 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sät...

STARPOWER

GD150HFX170C2S

ab € 77,17*
pro Stück

90%

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Angebot)

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 455W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC017SMA120B4

ab € 36,73*
pro Stück

90%

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Angebot)

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 455W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC017SMA120B

ab € 35,58*
pro Stück

90%

Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 50A; Idm: 280A; 33W (2 Angebote)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisier...

ST Microelectronics

STF140N6F7

ab € 0,81152*
pro Stück

90%

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 70A; Idm: 280A; 47W (2 Angebote)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 4,93mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 47W Pol...

Nexperia

PSMN5R4-25YLDX

ab € 0,18557*
pro Stück

90%

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38,5A; Idm: 218A; 55W (2 Angebote)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 38,5A Widerstand im Leitungszustand: 23,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...

Nexperia

BUK9M9R5-40HX

ab € 0,2622*
pro Stück

90%

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38,5A; Idm: 218A; 55W (2 Angebote)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 38,5A Widerstand im Leitungszustand: 18,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ve...

Nexperia

BUK7M9R5-40HX

ab € 0,27287*
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Anderson Power Products Serie SB175 Batteriesteckverbinder, Stecker, 2 -Kontakte 280A (3 Angebote)

Gender = Stecker Anzahl der Kontakte = 2 Nennstrom = 280A Betriebsspannung = 600 V Farbe = Blau Serie = SB175 Die zweitgrößten SB-Gehäuse funktionieren mit Kabelkontakten bis zu 1/0 AWG [50 mm²] so...

Anderson Power Products

6326G6

ab € 11,98*
pro Stück

90%