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Infineon HEXFET IRFZ34NSTRLPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 29 A, 3-Pin D2PAK (4 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
IRFZ34NSTRLPBF
ab € 0,38*
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Infineon IPA95R130PFD7XKSA1 N-Kanal MOSFET 950 V / 13,9 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,9 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-220 Pinanzahl = 3
Infineon
IPA95R130PFD7XKSA1
ab € 3,92*
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Infineon IRFP3006 Transistor 80 V (2 Angebote)
Infineon
IRFP3006PBF
ab € 2,33*
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Infineon IRLU3410 Transistor 40 V (4 Angebote)
Infineon
IRLU3410PBF
ab € 0,34*
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Infineon HEXFET IRLB8748PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 92 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 92 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IRLB8748PBF
ab € 0,40*
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Infineon IPA95R450PFD7XKSA1 N-Kanal MOSFET 950 V / 7,2 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,2 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-220 Pinanzahl = 3
Infineon
IPA95R450PFD7XKSA1
ab € 0,78*
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Infineon HEXFET IRFP3415PBF N-Kanal, THT MOSFET 43 A / 43 A, 3-Pin TO-247 (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 43 A Drain-Source-Spannung max. = 43 A Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IRFP3415PBF
ab € 1,28*
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Infineon IMW120R014M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 127 A, 3-Pin TO-247 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 127 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IMW120R014M1HXKSA1
ab € 22,33*
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Infineon IGBT / 30 A 5.8V max. , 1100 V, 3-Pin TO-247 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1100 V Gate-Source Spannung max. = 5.8V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3
Infineon
IHW30N110R5XKSA1
ab € 1,45*
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Infineon IPB012N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 197 A, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 197 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = SiC
Infineon
IPB012N04NF2SATMA1
ab € 1,65*
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Infineon HEXFET IRFR9024NTRLPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 11 A, 3-Pin TO-252AA (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = TO-252AA Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
IRFR9024NTRLPBF
ab € 0,33*
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Infineon IPA60R380P6 Transistor 600 V (3 Angebote)
Infineon
IPA60R380P6XKSA1
ab € 0,64*
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Infineon IMW120R007M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 225 A, 3-Pin TO-247 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 225 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IMW120R007M1HXKSA1
ab € 43,81*
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Infineon IPB014N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 191 A, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 191 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
IPB014N04NF2SATMA1
ab € 1,13*
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Infineon HEXFET IRFSL4127PBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 200 V / 72 A, 3-Pin TO-262 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 72 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
IRFSL4127PBF
ab € 3,34*
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