Feldeffekttransistor  (446 Angebote unter 17 601 294 Artikeln)

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 Ohm, TO220, COMSET

Druck max. = 70bar Druck min. = 0bar Anzeigentyp = Digital Anschlussgröße = G1/4 Anzeigen-Außendurchmesser = 95mm Genauigkeit max. = ±0.05% Serie = DPI 104 Gehäusematerial = ABS, PC Betriebstempera...

MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET

MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...

Transistor, C67078-S1333-A2, COMSET Features * N-Kanal * Anreicherungs-Modus * Avalanche-bewertet

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220

MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiz...

MOSFET, ZXMN10A07ZTA, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hochef...

MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigk...

Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS. Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT23, Diodes

N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000. Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäuse: SOT23, Betriebstemperat...

MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V erreicht wird. Features * Niedr...

Transistoren Reihe BSP. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BSP75NTA, SOT223, Diodes

MOSFET, DMN65D8L-7, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodur...