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Verstärker-Typ = Rauscharmer Verstärker Leistungsverstärkung = 13 dB Rauschfaktor = 0.6dB Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Arbeitsfrequenz max. = 2200 MHz Gehäusegröße = TSNP-6-2 Pinanzahl = 6

Produktpalette: BB814 Betriebstemperatur, max.: 125 °C Diodenmontage: Oberflächenmontage Durchlassstrom, max.: 50 mA Anzahl der Pins: 3 Pins Sperrspannung: 18 V Kapazität: 46.5 pF SVHC: No SVHC (23...

Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W D2PAK Kategorie: Gateway Serie: Eltako Schutzart: IP20 Stromversorgung: netzbetrieben Betriebsspannung: 230 V Montageart: Hutschiene Frequenz...

Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Produktpalette: thinQ Gen V Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16 A Dio...

Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8W TO-263-3 Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3 Rückspannung max.: 650V Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 20A x2 Struktur des Halbleiters: gemeinsame Kathode;doppelt Str...

Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200W TO-220AB Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220-2 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 2,8V Vorwärtsstrom: 3A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls:...

Verstärker-Typ = Rauscharm 3 DB Bandbreite typ. = 4400 To 5000MHz Leistungsverstärkung = 19 dB Rauschfaktor = 1dB Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Arbeitsfrequenz max. = 5000 MHz Gehäusegröße = TSnP-...