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Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-363 (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1...
Infineon
BFS481H6327XTSA1
ab € 0,21952*
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10er Pack Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB (3 Angebote) 
10er Pack Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB Typ: IRF3709ZPBF Gehäuse: TO-220AB Hersteller: Infineon Tec...
Infineon
IRF3709ZPBF
ab € 0,82*
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100er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut (3 Angebote) 
100er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 N...
Infineon
BCX70GE6327
ab € 0,0393*
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HF-Verstärker BGSX33M5U16E6327XTSA1, 17-Pin PG-ULGA-16-5 (1 Angebot) 
3 DB Bandbreite typ. = 100MHz Gehäusegröße = PG-ULGA-16-5 Pinanzahl = 17
Infineon
BGSX33M5U16E6327XTSA1
ab € 1,31*
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Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 600V; 12A; Ir: 1uA (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO220-2 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 12A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Imp...
Infineon
IDH12SG60C
ab € 6,64*
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5er Pack Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W D2PAK (3 Angebote) 
5er Pack Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W D2PAK Kategorie: Gateway Serie: Eltako Schutzart: IP20 Stromversorgung: netzbetrieben Betriebsspannung: 230 V Montageart: Hutschiene...
Infineon
IRF3710SPBF
ab € 1,52*
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HF-Verstärker BGA9V1MN9E6327XTSA1 Rauscharm, 21 dB 1-Kanal 4200 MHz, 9-Pin TSnP-9-6 (1 Angebot) 
Verstärker-Typ = Rauscharm 3 DB Bandbreite typ. = 3300 → 4200MHz Leistungsverstärkung = 21 dB Rauschfaktor = 0.75dB Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Arbeitsfrequenz max. = 4200 MHz Gehäusegröße = TSn...
Infineon
BGA9V1MN9E6327XTSA1
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Infineon THT SiC-Schottky Diode, 650V / 6A, 2-Pin PG-TO220 (2 Angebote) 
Montage-Typ = THT Gehäusegröße = PG-TO220 Dauer-Durchlassstrom max. = 6A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = SiC-Sch...
Infineon
IDH06G65C6XKSA1
ab € 1,36*
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INFINEON IDH16G120C5XKSA1 SIC-SCHOTTKY-DIODE, 1.2KV, 40A, TO-220 (3 Angebote) 
Diodenkonfiguration: Einfach Produktpalette: thinQ 5G 1200V Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 A Diodenmontage: Durch...
Infineon
IDH16G120C5XKSA1
ab € 5,94*
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Infineon TT240N18SOF (1 Angebot) 
Infineon TT240N18SOF
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TT240N18SOFHPSA1
ab € 37,81*
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5er Pack Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160W TO-220AB (3 Angebote) 
5er Pack Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160W TO-220AB Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er ei...
Infineon
IRF3710
ab € 1,52*
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Infineon BFR193L3 Transistor (2 Angebote)
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BFR193L3E6327XTMA1
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Infineon IDP08E65D2 (2 Angebote)
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IDP08E65D2XKSA1
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Infineon 1 IRFR220NTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 600 mO Gate-Schwellenspann...
Infineon
IRFR220NTRLPBF
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Diode mit variabler Kapazität, AEC-Q101, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323 (2 Angebote) 
Produktpalette: BB535 Betriebstemperatur, max.: 150 °C Diodenmontage: Oberflächenmontage Durchlassstrom, max.: 20 mA Anzahl der Pins: 2 Pins Sperrspannung: 30 V Kapazität: 20 pF SVHC: No SVHC (23-J...
Infineon
BB535E7904HTSA1
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