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Infineon TLF4277EL Transistor (1 Angebot)
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TLF4277ELXUMA1
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Infineon IRF100S201 Transistor 60 V (3 Angebote)
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IRF100S201
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Infineon BSC024NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 110 A PG-TDSON-8-5 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 110 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = PG-TDSON-8-5 Montage-Typ = SMD
Infineon
BSC024NE2LSATMA1
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Infineon IRF7854 Transistor 80 V (3 Angebote)
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IRF7854TRPBF
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Modul: Dioden-Thyristor; 1,6kV; 92A; BG-PB20-1; Ufmax: 1,62V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB20-1 Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsstrom max.: 160A Vorwärtsspannung max.: 1,62V Vorwärtsstrom: 92A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Ga...
Infineon
TD92N16KOF
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Infineon BSC010N04LS6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 285 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 285 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC010N04LS6ATMA1
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Infineon TLS115D0LD Transistor (2 Angebote)
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Infineon BSC027N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 194 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 194 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Infineon BSC026N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 184 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 184 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
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Modul: Dioden-Thyristor; 1,8kV; 425A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1,5V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB60AT-1 Rückspannung max.: 1,8kV Vorwärtsstrom max.: 800A Vorwärtsspannung max.: 1,5V Vorwärtsstrom: 425A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle ...
Infineon
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Infineon BSC032NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 84 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 84 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
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BSC032NE2LSATMA1
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Infineon TLE42754D Transistor (2 Angebote)
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Infineon BSC032NE2LS Transistor 25 V (1 Angebot)
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BSC032NE2LSATMA1
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Infineon BSC027N06LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A, 8-Pin Herr TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 134 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = Herr TDSON Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC027N06LS5ATMA1
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Modul: Dioden-Thyristor; 1,8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1,45V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB60AT-1 Rückspannung max.: 1,8kV Vorwärtsstrom max.: 900A Vorwärtsspannung max.: 1,45V Vorwärtsstrom: 500A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle...
Infineon
TD500N18KOF
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