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  infineon  (13 150 Angebote unter 17 590 485 Artikeln)

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IPW65R099CFD7AXKSA1
ab € 4,58*
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Infineon IPT044N15N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 174 A, 8-Pin HSOF-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 174 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = HSOF-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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IPT044N15N5ATMA1
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Infineon IPP65R190CFD7AAKSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 55 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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IPP65R190CFD7AAKSA1
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Infineon IPN60R3K4CE Evaluierungsplatine, EVAL_16W_66V_BCK_CE MOSFET-Treiber (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = MOSFET-Treiber Zum Einsatz mit = Beleuchtung Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = IPN60R3K4CE Kit-Name = EVAL_16W_66V_BCK_CE Die...
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EVAL16W66VBCKCETOBO1
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Infineon IPT60R022S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 0,82 V / 375 A, 8-Pin HSOF (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 375 A Drain-Source-Spannung max. = 0,82 V Gehäusegröße = HSOF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Infineon IPP77N06S212AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 77 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 77 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 12 mO Channel-Modus = Enhancement...
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Infineon IPT60R045CFD7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 153 A, 8-Pin HSOF (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 153 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = HSOF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Infineon IPP80N06S2L07AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 mO Channel-Modus = Enhancement ...
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Infineon IPU80R1K4P7AKMA1, THT MOSFET Transistor / 2,7 A, 3-Pin PG-TO251-3 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A Gehäusegröße = PG-TO251-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Infineon IPT012N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 313 A, 8-Pin PG-HSOF-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 313 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-HSOF-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Infineon IPP024N08NF2S IPP024N08NF2SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 28 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = IPP024N08NF2S Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V Anzahl der Elemente pro Chip ...
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Infineon IPU95R750P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 1899-12-31 09:00:00, 3-Pin TO-251 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1899-12-31 09:00:00 Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-251 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente ...
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Infineon IPT012N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 199 A PG-HSOF-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 199 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-HSOF-8 Montage-Typ = SMD
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Infineon IPW60R045CPAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 60 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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