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Infineon BFP840ESD Transistor (3 Angebote)
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BFP840ESDH6327XTSA1
ab € 0,13686*
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Infineon XMC1202-T028X0064 AB (3 Angebote)
Infineon
XMC1202T028X0064ABXUMA1
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Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 38 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = I2PAK (TO-262) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = En...
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ab € 11,54*
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Infineon BFP520F Transistor (2 Angebote)
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Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 (4 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 V Betriebstemperatur, ma...
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BFR92PE6327HTSA1
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Infineon Technologies N-Kanal CoolMOS Power Transistor, 600 V, 20 A, TO-247, SPW (2 Angebote) 
MOSFETs, SPW20N60SBFKSA1, Infineon Technologies Features * Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie * Extrem dv/dt bewertet * Verbesserte Transkonduktanz * Ultra Niedrige Gate-Ladung * Sehr nied...
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Infineon BFP842ESD Transistor (3 Angebote)
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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Betriebstemperatur, ...
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Infineon HEXFET IRFB4321PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 85 A 350 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 85 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
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Infineon BFP640ESD Transistor (3 Angebote)
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Bluetooth 4.2-Modul, 1.8V-5.5V Versorgungsspannung, 1MB/s (1 Angebot) 
Produktpalette: EZ-BLE Series Versorgungsspannung, max.: 5.5 V Bluetooth-Version: Bluetooth 4.2 Betriebstemperatur, max.: 85 °C Bluetooth-Klasse: - Empfangsempfindlichkeit: -87 dBm Übertragungsrate...
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
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ab € 9,16*
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Infineon HEXFET IRF1018EPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 79 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IRF1018EPBF
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Bipolartransistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-323, BFR92WE6327XT (1 Angebot) 
Bipolartransistor, BFR92WE6327XT, Infineon Technologies Der BFR92WE6327XT ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für Breitbandverstärker und schnelle nicht gesättigte Schalter ve...
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BFR92WE6327XT
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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23 (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Betriebstemperatur, ...
Infineon
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Infineon HEXFET IRF530NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Channel-Modus = En...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
ab € 10,79*
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