Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V Drain-Source-Spannung Vds: 40 V MSL: MSL 1 - Unlimited Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036 ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) V...
MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigk...
MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V erreicht wird. Features * Niedr...