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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,4A; 110W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,4A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisie...
Taiwan Semiconductor
TSM80N1R2CP ROG
ab € 1,94*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26,8A; Idm: 152A; 62W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: LFPAK33;SOT1210 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 26,8A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verl...
Nexperia
BUK9M19-60EX
ab € 0,24959*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSMT3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung:...
ROHM Semiconductor
RSR020N06FRATL
ab € 0,135*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4,7A; Idm: 25A; 62,5W; ESD (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263AB Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 4,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,43Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI7A5N65D2K
ab € 0,88*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 2,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;R...
WAYON
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ab € 0,21*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1,2A; 0,35W; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,28A Widerstand im Leitungszustand: 5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verl...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
2N7002A-AQ
ab € 0,0255*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: MPT3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierung: u...
ROHM Semiconductor
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ab € 0,193*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 598mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 96W Polarisierung: u...
Vishay
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ab € 1,53*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Drain-Source Spannung: 80V Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein
DIOTEC SEMICONDUCTOR
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ab € 0,91*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; Idm: 140A; 2W (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: PowerDI3333-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polar...
Diodes
DMN6017SFV-7
ab € 0,267*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 12,8A; 2,4W (1 Angebot) 
Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustleistung: 2...
PanJit Semiconductor
PJQ2460-AU_R1_000A1
ab € 0,143*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9,5A; Idm: 36A; 156W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9,5A Widerstand im Leitungszustand: 271mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W Polarisierun...
Vishay
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ab € 2,48*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 9,12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 306W Polarisierun...
Nexperia
PSMN4R4-80BS,118
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1,69W; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,69W Polarisie...
Diodes
DMS3014SFG-13
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: H-PSOF8L Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 3,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustleistu...
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