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IC: power switch; high-side; 1,5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Versorgungsspannung: 3...8V DC Ausgangsstrom: 1,5A Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Anzahl Kanäle: 1 Ausgangs-Art: P-Channel Verpacku...
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FDC6323L
ab € 0,28*
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IC: power switch; high-side; 2,8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Versorgungsspannung: -8...8V DC Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Ausgangsstrom: 2,8A Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Anzahl Kanäl...
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FDC6331L
ab € 0,22*
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IC: power switch; high-side; 1,5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Versorgungsspannung: 3...20V DC Ausgangsstrom: 1,5A Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Anzahl Kanäle: 1 Ausgangs-Art: P-Channel Verpack...
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FDC6324L
ab € 0,287*
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IC: power switch; high-side; 2,5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Versorgungsspannung: 2,5...8V DC Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω Ausgangsstrom: 2,5A Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Anzahl Ka...
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FDC6329L
ab € 0,27*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0,5W; SuperSOT-3 (4 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -1A Widerstand im Leitungszustand: 0,74Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: un...
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NDS332P
ab € 0,11743*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1,1A; 1,6W; SuperSOT-6 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 1,1A Widerstand im Leitungszustand: 1,43Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: u...
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FDC2612
ab € 0,23795*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 976mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,96W Polarisierung:...
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FDC3601N
ab € 0,18*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2,4A; 0,5W; SuperSOT-3 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: u...
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ab € 0,16*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,7A; 500mW; SuperSOT-3 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: un...
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FDN335N
ab € 0,122*
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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0,34A; 0,96W; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: -60V Drainstrom: -0,34A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,96W Polarisierun...
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NDC7003P
ab € 0,143*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4,5A Widerstand im Leitungszustand: 72mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: u...
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FDC638APZ
ab € 0,15138*
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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2,2A; 0,96W; SuperSOT-6 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2,2A Widerstand im Leitungszustand: 184mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,96W Polarisieru...
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FDC6310P
ab € 0,1943*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3,5A; 1,6W; SuperSOT-6 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,13Ω Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: ...
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FDC634P
ab € 0,21*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1,6W; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Widerstand im Leitungszustand: 53mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: uni...
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ab € 0,31*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: P-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: u...
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FDC640P
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