1000er Pack Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500mW TO-236-3

Typ: BSS123NH
Gehäuse: TO-236-3
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: N-Kanal
I(d): 190 mA
U: 100 V
Leistung (max) P(TOT): 500 mW
R(DS)(on): 6 ?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 190 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 13 µA
Q(G): 0.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 20.9 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Serie: OptiMOS™
Transistor-Merkmal: Logic Level Gate
U(DSS): 100 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: BSS123NH
EAN: - - - - - - - - -
Betriebsfrequenz: 50 - 60 Hz