Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3W DIP-4

Typ: IRFD110PBF
Gehäuse: DIP-4
Hersteller: Vishay
Herst.-Abk.: VIS
Ausführung: N-Kanal
I(d): 1 A
Leistung (max) P(TOT): 1.3 W
R(DS)(on): 540 m?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
Q(G): 8.3 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 180 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Transistor-Merkmal: Standard
U(DSS): 100 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: IRFD110PBF
EAN: - - - - - - - - -
Übersetzung: 6:1