Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB

Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB

Typ: IRF3709ZPBF
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: N-Kanal
I(d): 87 A
U: 30 V
Leistung (max) P(TOT): 79 W
R(DS)(on): 6.3 m?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 21 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 2.25 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
Q(G): 26 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V
C(ISS): 2130 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
U(DSS): 30 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: IRF3709ZPBF
EAN: - - - - - - - - -
Abtastrate: Einstellbar: 0,5 s, 1 s, 2 s (Voreinstellung 1 s)
Schutzart: IP50
Sensortyp: 100-?-Dünnfilmwiderstand
Temperaturkoeffizient des Messfühler: 0,00385 ?/?/°C nominal
Hysterese des Messfühlers: ± 0,01 °C