Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

Typ: 2N2222A
Gehäuse: TO-18
Hersteller: Central Semiconductor corp.
Herst.-Abk.: CSC
Kategorie: Transistor (BJT) - diskret
Kanäle: 1
Ausführung: NPN
Collector-Strom I(C): 800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V
VCE Sättigung (max.): 1 V
Kollektor Reststrom I(CES): 10 nA
Leistung (max) P(TOT): 500 mW
DC Stromverstärkung (hFE): 100
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V
Transitfrequenz f(T): 300 MHz
Montageart: Durchführungsloch
Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret
Hersteller-Nr.: 2N2222A
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Schaltleistung: 100 mA
Arbeitstemperatur: - 20° C bis + 70° C