Optokoppler MB104/4C

MB104/4C, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Fototransistor im Ausgangsbereich, DIP-6, 200 mW,Kollektor-Emitter-Strom bei If =10 mA, Uce = 5 V Ice(h)=20 mA MB104/4C, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Fototransistor im Ausgangsbereich, DIP-6, 200 mW,Kollektor-Emitter-Strom bei If =10 mA, Uce = 5 V Ice(h)=20 mA Technische Daten:Pin 1: IR-LED- AnodePin 2: IR-LED-KatodePin 3: nicht belegtPin 4: Fototransistor EmiterPin 5: Fototransistor KollektorPin 6: Fototransistor Basis