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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
1331-1663998
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IPA60R385CPXKSA1
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.35 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
-
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Durchsteckmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
9 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-220
Drain-Source-Spannung Vds:
650 V
Verlustleistung:
31 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
3 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
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>
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Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
Dioden
,
Einfache
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FETs
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,
Thyristoren
,
Transistoren
,
INFINEON
,
IPA60R385CPXKSA1
,
1663998
,
166-3998
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