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| Artikel-Nr.: 1331-1775505 Herst.-Nr.: BSZ123N08NS3GATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 40 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PG-TSDSON Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 66 WQualifikation: - RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 40a mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSZ123N08NS3GATMA1, 1775505, 177-5505 |
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