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VISHAY SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, DIODE, 40V, 7.2A, SO8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2056685
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4447ADY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
diode
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 7.2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 4.2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4447ADY-T1-GE3, 2056685, 205-6685
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