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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2083341
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDT86102LZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 ohm
  • Produktpalette: PowerTrench
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6.6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-223
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 2.2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-223, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ON SEMICONDUCTOR, FDT86102LZ, 2083341, 208-3341
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