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Artikel
ONSEMI 2N7002ET1G MOSFET, N-KANAL, 60V, 310MA, SOT-23-3
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
1331-2317895
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
2N7002ET1G
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.86 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
310 mA
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SOT-23
Drain-Source-Spannung Vds:
60 V
Verlustleistung:
420 mW
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
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Weitere Suchbegriffe:
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FETs
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Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
ONSEMI
,
2N7002ET1G
,
2317895
,
231-7895
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