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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2325467
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     SPP20N60C3XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 20.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 208 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, SPP20N60C3XKSA1, 2325467, 232-5467
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