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STMICROELECTRONICS STB8NM60T4 MOSFET, N-KANAL, 650V, 8A, D2PAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2344089
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB8NM60T4
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 100 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STB8NM60T4, 2344089, 234-4089
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