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| Artikel-Nr.: 1331-2400383 Herst.-Nr.: SIHP21N65EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 21 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220AB Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 208 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP21N65EF-GE3, 2400383, 240-0383 |
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