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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2443419
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSC014N06NSATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TDSON
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 156 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSC014N06NSATMA1, 2443419, 244-3419
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