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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK)


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2443434
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD50P04P4L11ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 50 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 58 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPD50P04P4L11ATMA1, 2443434, 244-3434
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